Simulador de Eficiencia por Impurezas

La herramienta se puede utilizar para aumentar la eficiencia por impurezas de hierro en las células, completando de forma rápida los estudios de optimización del proceso.

El modelo 1D consta de tres componentes:

• modelos de simulación cinética de la difusión y la segregación de defectos puntuales de hierro, así como siliciuro de hierro disolución precipitado y crecimiento, durante la difusión de fósforo y el procesamiento a alta temperatura.
• el tiempo de vida de los portadores minoritarios se calculan para un modelo de recombinación Shockley-Read-Hall de la concentración de hierro intersticial y un valor de la superficie de la recombinación efectiva en las interfaces de hierro precipitado siliciuro / silicio.
• PC1D calcula entonces el rendimiento del dispositivo final como una función de la arquitectura del dispositivo, la vida útil calculada de material, y el perfil de la difusión calculada de fósforo. La física, las hipótesis, y la validación del simulador se detallan en Hofstetter et al [1].

La herramienta es el resultado de la colaboración entre el Massachusetts Institute of Technology y del IES - Universidad Politécnica de Madrid.

El simulador utiliza un applet de Java para la interfaz de usuario y un servidor para los cálculos. El servidor es mantenido por el Laboratorio de Investigación Fotovoltaica del MIT en Cambridge, Massachusetts.

Todos los archivos de entrada y salida se eliminan después de que los resultados sean impresos por el usuario.
El applet está firmado digitalmente para permitir al usuario guardar y cargar archivos de su máquina local.

Aceptar el applet firmado es necesario para utilizar la herramienta PC1D y las funciones de trazado. Sin embargo, no es necesario para utilizar el simulador cinético y la calculadora.

El applet se ve mejor con Java 6. Safari es el navegador web para los sistemas operativos Macintosh.
Las instrucciones detalladas se pueden encontrar en el manual del usuario.